收藏本站
NDF05N50Z, NDD05N50Z
TYPICAL CHARACTERISTICS
10.0
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
V GS = 8 V to 10 V
7.0 V
6.5 V
9.0
8.0
7.0
6.0
V DS = 25 V
5.0
4.0
3.0
6.0 V
5.0
4.0
3.0
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
2.0
2.0
1.0
0.0
0
5.5 V
5.0 V
5 10 15 20
25
1.0
0.0
3
4 5 6 7 8 9
10
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
2.50
2.25
2.00
1.75
1.50
1.25
I D = 2.2 A
T J = 25 ° C
2.500
2.250
2.000
1.750
1.500
1.250
V GS = 10 V
T J = 25 ° C
1.00
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5 10
1.000
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Region versus Gate ? to ? Source
Voltage
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain
Current and Gate Voltage
2.75
2.50
2.25
I D = 2.2 A
V GS = 10 V
1.15
1.10
I D = 1 mA
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
1.05
1.00
0.95
0.25
? 50
? 25
0 25 50 75 100 125
150
0.90
? 50
? 25
0 25 50 75 100
125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 6. BV DSS Variation with Temperature
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NDF06N60ZG MOSFET N-CH 600V 7.1A TO-220FP
NDF06N60ZH MOSFET N CH 600V 7.1A TO220FP
NDF06N62ZG MOSFET N-CH 620V 1.2OHM TO220FP
NDF08N50ZG MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP
NDF08N50ZH MOSFET N CH 500V 8.5A TO220FP
NDF08N60ZG MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
NDF08N60ZH MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220FP
NDF10N62ZG MOSFET N-CH 620V .75OHM TO220FP
相关代理商/技术参数
NDF0610 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDF06N60Z 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:NDP06N60Z
NDF06N60ZG 功能描述:MOSFET NFET TO220FP 600V 6A .98R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDF06N60ZH 功能描述:MOSFET NFET 600V 6A 980 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDF06N62Z 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 620 V, 0.98 ,
NDF06N62ZG 功能描述:MOSFET Single N-Ch 620V 3.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NDF08N50Z 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET 500 V, 0.69 
NDF08N50ZG 功能描述:MOSFET NFET T0220FP 600V 7.5A 85 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube